TK58A06N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK58A06N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK58A06N1

TK58A06N1 Datasheet (PDF)

..1. Size:234K toshiba
tk58a06n1.pdf

TK58A06N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK58A06N1TK58A06N1TK58A06N1TK58A06N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhan

..2. Size:253K inchange semiconductor
tk58a06n1.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK58A06N1ITK58A06N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 5.4m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

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Liste

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