TK58A06N1 Todos los transistores

 

TK58A06N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK58A06N1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: TO-220SIS

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TK58A06N1 datasheet

 ..1. Size:234K  toshiba
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TK58A06N1

TK58A06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK58A06N1 TK58A06N1 TK58A06N1 TK58A06N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhan

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
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TK58A06N1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK58A06N1 ITK58A06N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.4m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

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