TK58A06N1 Todos los transistores

 

TK58A06N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK58A06N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS
 

 Búsqueda de reemplazo de TK58A06N1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK58A06N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk58a06n1.pdf pdf_icon

TK58A06N1

TK58A06N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK58A06N1TK58A06N1TK58A06N1TK58A06N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhan

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk58a06n1.pdf pdf_icon

TK58A06N1

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK58A06N1ITK58A06N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 5.4m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

Otros transistores... TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , STP75NF75 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W , TK5Q60W .

History: 4N60L-TM3-T | RUH3025M3 | STD2NK90Z-1 | HM2301BKR | MTC3586BDFA6 | WMS10DH04TS | IRFI9610GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.