TK58A06N1 - описание и поиск аналогов

 

TK58A06N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK58A06N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK58A06N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK58A06N1 даташит

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk58a06n1.pdf pdf_icon

TK58A06N1

TK58A06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK58A06N1 TK58A06N1 TK58A06N1 TK58A06N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhan

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk58a06n1.pdf pdf_icon

TK58A06N1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK58A06N1 ITK58A06N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.4m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , IRFP250N , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W , TK5Q60W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.