TK58E06N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK58E06N1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Encapsulados: TO-220
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TK58E06N1 datasheet
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TK58E06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK58E06N1 TK58E06N1 TK58E06N1 TK58E06N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhan
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1 ITK58E06N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 5.4m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAX
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History: TMP4N60 | IXFC16N80P
History: TMP4N60 | IXFC16N80P
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