TK58E06N1 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK58E06N1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK58E06N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TK58E06N1

 

TK58E06N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk58e06n1.pdf pdf_icon

TK58E06N1

TK58E06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK58E06N1 TK58E06N1 TK58E06N1 TK58E06N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhan

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk58e06n1.pdf pdf_icon

TK58E06N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1 ITK58E06N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 5.4m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , IRF630 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W , TK5Q60W , TK5Q65W .

 

 
Back to Top

 


 
.