Справочник MOSFET. TK58E06N1

 

TK58E06N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK58E06N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK58E06N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK58E06N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk58e06n1.pdf pdf_icon

TK58E06N1

TK58E06N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK58E06N1TK58E06N1TK58E06N1TK58E06N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhan

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk58e06n1.pdf pdf_icon

TK58E06N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1ITK58E06N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.4m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.