TK58E06N1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK58E06N1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK58E06N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK58E06N1 даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk58e06n1.pdf pdf_icon

TK58E06N1

TK58E06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK58E06N1 TK58E06N1 TK58E06N1 TK58E06N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhan

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk58e06n1.pdf pdf_icon

TK58E06N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1 ITK58E06N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 5.4m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAX

Другие IGBT... TK4P60D, TK4Q60DA, TK50A04K3, TK50S04K3L, TK55S10N1, TK56A12N1, TK56E12N1, TK58A06N1, IRF630, TK5A60W, TK5A60W5, TK5A65W, TK5P60W, TK5P60W5, TK5P65W, TK5Q60W, TK5Q65W