Справочник MOSFET. TK58E06N1

 

TK58E06N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK58E06N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 58 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Выходная емкость (Cd): 1120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TK58E06N1

 

 

TK58E06N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk58e06n1.pdf

TK58E06N1 TK58E06N1

TK58E06N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK58E06N1TK58E06N1TK58E06N1TK58E06N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhan

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk58e06n1.pdf

TK58E06N1 TK58E06N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1ITK58E06N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.4m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top