TK58E06N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK58E06N1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для TK58E06N1
TK58E06N1 Datasheet (PDF)
tk58e06n1.pdf

TK58E06N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK58E06N1TK58E06N1TK58E06N1TK58E06N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhan
tk58e06n1.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK58E06N1ITK58E06N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.4m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0406BUQ | JMSH0406PUQ | JMSH0406PU | JMSH1010PU | JMSH1010PK | JMSH1010PG | JMSH1010PC | JMSH1010AKQ | JMSH1010AK | JMSH1010AGQ | JMSH1010AG | JMSH1010AE | JMSH1010AC | JMSH1006PK | JMSH1006PGS | JMSH1006PG
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193