TK62J60W5 Todos los transistores

 

TK62J60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK62J60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de TK62J60W5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK62J60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk62j60w5.pdf pdf_icon

TK62J60W5

TK62J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK62J60W5TK62J60W5TK62J60W5TK62J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 170 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.036 (typ.) by used to Super Junction St

 6.1. Size:240K  toshiba
 tk62j60w.pdf pdf_icon

TK62J60W5

TK62J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK62J60WTK62J60WTK62J60WTK62J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.033 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

Otros transistores... TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W , TK5Q60W , TK5Q65W , TK60F08K3 , TK62J60W , 8205A , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , TK6A80E .

History: IRL3102SPBF | ME20P03-G | NTMFS6H864NL

 

 
Back to Top

 


 
.