TK62J60W5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK62J60W5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: TO-3P
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TK62J60W5 datasheet
tk62j60w5.pdf
TK62J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK62J60W5 TK62J60W5 TK62J60W5 TK62J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 170 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.036 (typ.) by used to Super Junction St
tk62j60w.pdf
TK62J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK62J60W TK62J60W TK62J60W TK62J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.033 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E
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History: IPA037N08N3 | 2SK746 | EC4953
History: IPA037N08N3 | 2SK746 | EC4953
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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