TK62J60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK62J60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK62J60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK62J60W5 даташит

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk62j60w5.pdf pdf_icon

TK62J60W5

TK62J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK62J60W5 TK62J60W5 TK62J60W5 TK62J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 170 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.036 (typ.) by used to Super Junction St

 6.1. Size:240K  toshiba
 tk62j60w.pdf pdf_icon

TK62J60W5

TK62J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK62J60W TK62J60W TK62J60W TK62J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.033 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

Другие IGBT... TK5A65W, TK5P60W, TK5P60W5, TK5P65W, TK5Q60W, TK5Q65W, TK60F08K3, TK62J60W, IRFP260, TK62N60W, TK62N60W5, TK62N60X, TK65G10N1, TK65S04N1L, TK6A60W, TK6A65W, TK6A80E