TK65G10N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK65G10N1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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TK65G10N1 datasheet
tk65g10n1.pdf
TK65G10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK65G10N1 TK65G10N1 TK65G10N1 TK65G10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) (3) Enha
itk65g10n1.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor ITK65G10N1 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo
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History: TK60F08K3
History: TK60F08K3
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