Справочник MOSFET. TK65G10N1

 

TK65G10N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK65G10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для TK65G10N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65G10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk65g10n1.pdf pdf_icon

TK65G10N1

TK65G10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK65G10N1TK65G10N1TK65G10N1TK65G10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enha

 0.1. Size:257K  inchange semiconductor
 itk65g10n1.pdf pdf_icon

TK65G10N1

Isc N-Channel MOSFET Transistor ITK65G10N1FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... TK5Q60W , TK5Q65W , TK60F08K3 , TK62J60W , TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , IRFB3607 , TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , TK6A80E , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W .

History: SSM2307G | SSPL1042

 

 
Back to Top

 


 
.