TK65G10N1 - описание и поиск аналогов

 

TK65G10N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK65G10N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для TK65G10N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65G10N1 даташит

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk65g10n1.pdf pdf_icon

TK65G10N1

TK65G10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK65G10N1 TK65G10N1 TK65G10N1 TK65G10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) (3) Enha

 0.1. Size:257K  inchange semiconductor
 itk65g10n1.pdf pdf_icon

TK65G10N1

Isc N-Channel MOSFET Transistor ITK65G10N1 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Другие MOSFET... TK5Q60W , TK5Q65W , TK60F08K3 , TK62J60W , TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , K4145 , TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , TK6A80E , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W .

History: CM9N90PZ | 2SK1310 | APQ02SN65AF | AGM60P30D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.