TK65S04N1L Todos los transistores

 

TK65S04N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK65S04N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK65S04N1L Datasheet (PDF)

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TK65S04N1L

TK65S04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK65S04N1LTK65S04N1LTK65S04N1LTK65S04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (m

 7.1. Size:245K  toshiba
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TK65S04N1L

TK65S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK65S04K3LTK65S04K3LTK65S04K3LTK65S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

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History: APT5010JVRU3 | B640 | 5N65G

 

 
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