TK65S04N1L - описание и поиск аналогов

 

TK65S04N1L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK65S04N1L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK65S04N1L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65S04N1L даташит

 ..1. Size:309K  toshiba
 tk65s04n1l.pdf pdf_icon

TK65S04N1L

TK65S04N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK65S04N1L TK65S04N1L TK65S04N1L TK65S04N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.3 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (m

 7.1. Size:245K  toshiba
 tk65s04k3l.pdf pdf_icon

TK65S04N1L

TK65S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK65S04K3L TK65S04K3L TK65S04K3L TK65S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Другие MOSFET... TK5Q65W , TK60F08K3 , TK62J60W , TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , 13N50 , TK6A60W , TK6A65W , TK6A80E , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , TK70J04K3Z .

History: STD150NH02L-1 | SNN01Z10D | CEM9956A | HM10N10I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.