Справочник MOSFET. TK65S04N1L

 

TK65S04N1L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK65S04N1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK65S04N1L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65S04N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  toshiba
 tk65s04n1l.pdf pdf_icon

TK65S04N1L

TK65S04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK65S04N1LTK65S04N1LTK65S04N1LTK65S04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (m

 7.1. Size:245K  toshiba
 tk65s04k3l.pdf pdf_icon

TK65S04N1L

TK65S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK65S04K3LTK65S04K3LTK65S04K3LTK65S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... TK5Q65W , TK60F08K3 , TK62J60W , TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK10A60D , TK6A60W , TK6A65W , TK6A80E , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , TK70J04K3Z .

History: IPI80N06S2-07 | NCE50N1K8I | SM1F02NSF | SVF5N60T | 2SK956-01 | IRF630NSTRRPBF | IRF7706G

 

 
Back to Top

 


 
.