TK6A80E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK6A80E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK6A80E

TK6A80E Datasheet (PDF)

..1. Size:271K toshiba
tk6a80e.pdf

TK6A80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK6A80ETK6A80ETK6A80ETK6A80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

..2. Size:240K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK6A80EITK6A80EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 1.7.Enhancement mode:Vth = 2.5 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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