TK6A80E Todos los transistores

 

TK6A80E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK6A80E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS
 

 Búsqueda de reemplazo de TK6A80E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK6A80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  toshiba
 tk6a80e.pdf pdf_icon

TK6A80E

TK6A80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK6A80ETK6A80ETK6A80ETK6A80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk6a80e.pdf pdf_icon

TK6A80E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK6A80EITK6A80EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 1.7.Enhancement mode:Vth = 2.5 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , 5N65 , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 .

History: FDP8870F085 | NTLGF3402P

 

 
Back to Top

 


 
.