TK6A80E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK6A80E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
Encapsulados: TO-220SIS
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TK6A80E datasheet
tk6a80e.pdf
TK6A80E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK6A80E TK6A80E TK6A80E TK6A80E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.35 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5
Otros transistores... TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , 5N65 , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 .
History: DMS2120LFWB | F12N65 | 2SK3064 | DMTH6009LK3 | TMD18N20Z | IRHQ57214SE | 2SK2958L
History: DMS2120LFWB | F12N65 | 2SK3064 | DMTH6009LK3 | TMD18N20Z | IRHQ57214SE | 2SK2958L
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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