Справочник MOSFET. TK6A80E

 

TK6A80E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK6A80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TK6A80E

 

 

TK6A80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  toshiba
 tk6a80e.pdf

TK6A80E TK6A80E

TK6A80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK6A80ETK6A80ETK6A80ETK6A80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk6a80e.pdf

TK6A80E TK6A80E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK6A80EITK6A80EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 1.7.Enhancement mode:Vth = 2.5 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top