TK6A80E - описание и поиск аналогов

 

TK6A80E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK6A80E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK6A80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6A80E даташит

 ..1. Size:271K  toshiba
 tk6a80e.pdf pdf_icon

TK6A80E

TK6A80E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK6A80E TK6A80E TK6A80E TK6A80E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.35 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk6a80e.pdf pdf_icon

TK6A80E

Другие MOSFET... TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , 5N65 , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 .

History: IXFM14N80

 

 

 

 

↑ Back to Top
.