Справочник MOSFET. TK6A80E

 

TK6A80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK6A80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS
 

 Аналог (замена) для TK6A80E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6A80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  toshiba
 tk6a80e.pdf pdf_icon

TK6A80E

TK6A80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK6A80ETK6A80ETK6A80ETK6A80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk6a80e.pdf pdf_icon

TK6A80E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK6A80EITK6A80EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 1.7.Enhancement mode:Vth = 2.5 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , 4435 , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 .

History: RQ1E070RP | SFF80N20MUB | AO4916

 

 
Back to Top

 


 
.