TK6Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK6Q60W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 12 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.82 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK6Q60W

TK6Q60W Datasheet (PDF)

1.1. tk6q60w.pdf Size:241K _toshiba

TK6Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK6Q60W TK6Q60W TK6Q60W TK6Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.68 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

5.1. tk6q65w.pdf Size:382K _toshiba

TK6Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK6Q65W TK6Q65W TK6Q65W TK6Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.89 Ω(typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: