TK6Q60W Todos los transistores

 

TK6Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK6Q60W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 12 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.82 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

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TK6Q60W Datasheet (PDF)

1.1. tk6q60w.pdf Size:241K _toshiba

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TK6Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK6Q60W TK6Q60W TK6Q60W TK6Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.68 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

5.1. tk6q65w.pdf Size:382K _toshiba

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TK6Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK6Q65W TK6Q65W TK6Q65W TK6Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.89 Ω(typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

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