TK6Q60W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK6Q60W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 12 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.82 Ohm
Тип корпуса: IPAK
TK6Q60W Datasheet (PDF)
1.1. tk6q60w.pdf 
Size:241K _toshiba
TK6Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK6Q60W TK6Q60W TK6Q60W TK6Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.68 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance
5.1. tk6q65w.pdf Size:382K _toshiba
TK6Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK6Q65W TK6Q65W TK6Q65W TK6Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.89 Ω(typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement
Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .
