TK7A90E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK7A90E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220SIS
Búsqueda de reemplazo de TK7A90E MOSFET
TK7A90E Datasheet (PDF)
tk7a90e.pdf
TK7A90EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK7A90ETK7A90ETK7A90ETK7A90E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.6 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5
tk7a90e.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK7A90EITK7A90EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 2.0.Enhancement mode:Vth = 2.5 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.7mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 , TK72E12N1 , TK7A60W , TK7A60W5 , TK7A65W , 4N60 , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , TK7S10N1Z , TK80A04K3L .
Liste
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