Справочник MOSFET. TK7A90E

 

TK7A90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK7A90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS
 

 Аналог (замена) для TK7A90E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7A90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  toshiba
 tk7a90e.pdf pdf_icon

TK7A90E

TK7A90EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK7A90ETK7A90ETK7A90ETK7A90E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.6 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

 ..2. Size:240K  inchange semiconductor
 tk7a90e.pdf pdf_icon

TK7A90E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK7A90EITK7A90EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 2.0.Enhancement mode:Vth = 2.5 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.7mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 , TK72E12N1 , TK7A60W , TK7A60W5 , TK7A65W , 10N65 , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , TK7S10N1Z , TK80A04K3L .

History: SFS04R02DF | NVATS4A103PZ | FQPF18N50V2 | KU082N03Q | SI5479DU | NCE0110AK

 

 
Back to Top

 


 
.