TK7Q65W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK7Q65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: IPAK
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TK7Q65W datasheet
tk7q65w.pdf
TK7Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7Q65W TK7Q65W TK7Q65W TK7Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.66 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement
tk7q60w.pdf
TK7Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7Q60W TK7Q60W TK7Q60W TK7Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.5 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancem
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