TK7Q65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK7Q65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK7Q65W
TK7Q65W Datasheet (PDF)
tk7q65w.pdf
TK7Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7Q65WTK7Q65WTK7Q65WTK7Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.66 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement
tk7q65w.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK7Q65WITK7Q65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.8.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
tk7q60w.pdf
TK7Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7Q60WTK7Q60WTK7Q60WTK7Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancem
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Liste
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