TK7Q65W - описание и поиск аналогов

 

TK7Q65W - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK7Q65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для TK7Q65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7Q65W технические параметры

 ..1. Size:380K  toshiba
 tk7q65w.pdf pdf_icon

TK7Q65W

TK7Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7Q65W TK7Q65W TK7Q65W TK7Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.66 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
 tk7q65w.pdf pdf_icon

TK7Q65W

 9.1. Size:244K  toshiba
 tk7q60w.pdf pdf_icon

TK7Q65W

TK7Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7Q60W TK7Q60W TK7Q60W TK7Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.5 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancem

Другие MOSFET... TK7A60W5 , TK7A65W , TK7A90E , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , RFP50N06 , TK7S10N1Z , TK80A04K3L , TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W .

 

 
Back to Top

 


 
.