TK7S10N1Z Todos los transistores

 

TK7S10N1Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK7S10N1Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK7S10N1Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK7S10N1Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  toshiba
 tk7s10n1z.pdf pdf_icon

TK7S10N1Z

TK7S10N1ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK7S10N1ZTK7S10N1ZTK7S10N1ZTK7S10N1Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 40 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low le

Otros transistores... TK7A65W , TK7A90E , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , SI2302 , TK80A04K3L , TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W .

History: XP162A12A6PR-G | 2SK2645 | XP161A1265PR-G

 

 
Back to Top

 


 
.