TK7S10N1Z - описание и поиск аналогов

 

TK7S10N1Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK7S10N1Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK7S10N1Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7S10N1Z даташит

 ..1. Size:258K  toshiba
 tk7s10n1z.pdf pdf_icon

TK7S10N1Z

TK7S10N1Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK7S10N1Z TK7S10N1Z TK7S10N1Z TK7S10N1Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 40 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low le

Другие MOSFET... TK7A65W , TK7A90E , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , SI2302 , TK80A04K3L , TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.