Справочник MOSFET. TK7S10N1Z

 

TK7S10N1Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK7S10N1Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK7S10N1Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7S10N1Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  toshiba
 tk7s10n1z.pdf pdf_icon

TK7S10N1Z

TK7S10N1ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK7S10N1ZTK7S10N1ZTK7S10N1ZTK7S10N1Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 40 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low le

Другие MOSFET... TK7A65W , TK7A90E , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , IRFZ46N , TK80A04K3L , TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W .

 

 
Back to Top

 


 
.