TK80A04K3L Todos los transistores

 

TK80A04K3L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK80A04K3L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: TO-220SIS

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TK80A04K3L datasheet

 ..1. Size:231K  toshiba
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TK80A04K3L

TK80A04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80A04K3L TK80A04K3L TK80A04K3L TK80A04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.9 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
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TK80A04K3L

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK80A04K3L ITK80A04K3L FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.4m (typ.) (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 3.0V (VDS = 10 V, ID=1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE

 8.1. Size:207K  toshiba
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TK80A04K3L

TK80A08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80A08K3 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 3.6 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 200 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

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