TK90S06N1L Todos los transistores

 

TK90S06N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK90S06N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK90S06N1L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK90S06N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk90s06n1l.pdf pdf_icon

TK90S06N1L

TK90S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

Otros transistores... TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , AO3401 , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ .

History: WNMD6003 | NCE2302B | SFP024N80C3 | NCE2301F | NP100P04PLG | IRFR5410PBF | FDB045AN08F085

 

 
Back to Top

 


 
.