TK90S06N1L Todos los transistores

 

TK90S06N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK90S06N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK90S06N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
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TK90S06N1L

TK90S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

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History: 2SK1377 | WNMD6003 | STD10P6F6 | BSC600N25NS3G | WMK12N80M3 | TK62J60W5 | SM6012NSU

 

 
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