TK90S06N1L - описание и поиск аналогов

 

TK90S06N1L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK90S06N1L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK90S06N1L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK90S06N1L даташит

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk90s06n1l.pdf pdf_icon

TK90S06N1L

TK90S06N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK90S06N1L TK90S06N1L TK90S06N1L TK90S06N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDS

Другие MOSFET... TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , P60NF06 , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ .

History: IXFH12N90

 

 

 

 

↑ Back to Top
.