Справочник MOSFET. TK90S06N1L

 

TK90S06N1L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK90S06N1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK90S06N1L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK90S06N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk90s06n1l.pdf pdf_icon

TK90S06N1L

TK90S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , AO3401 , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ .

History: WMS12P03T1 | RUH60100M

 

 
Back to Top

 


 
.