TK90S06N1L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK90S06N1L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 157 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 81 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 2630 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TK90S06N1L
TK90S06N1L Datasheet (PDF)
..1. Size:244K toshiba
tk90s06n1l.pdf
tk90s06n1l.pdf
TK90S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1LTK90S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
