TK9A90E Todos los transistores

 

TK9A90E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK9A90E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO-220SIS

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TK9A90E datasheet

 ..1. Size:225K  toshiba
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TK9A90E

TK9A90E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK9A90E TK9A90E TK9A90E TK9A90E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.0 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5

 ..2. Size:239K  inchange semiconductor
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TK9A90E

Otros transistores... TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , AO3400A , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ .

 

 

 


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