TK9A90E - описание и поиск аналогов

 

TK9A90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK9A90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK9A90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9A90E даташит

 ..1. Size:225K  toshiba
 tk9a90e.pdf pdf_icon

TK9A90E

TK9A90E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK9A90E TK9A90E TK9A90E TK9A90E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.0 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5

 ..2. Size:239K  inchange semiconductor
 tk9a90e.pdf pdf_icon

TK9A90E

Другие MOSFET... TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , AO3400A , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ .

History: TK7S10N1Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.