TK9J90E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK9J90E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de TK9J90E MOSFET
TK9J90E Datasheet (PDF)
tk9j90e.pdf
TK9J90EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK9J90ETK9J90ETK9J90ETK9J90E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.0 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5
tk9j90e.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor TK9J90EDESCRIPTIONDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching voltage regulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
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History: WNM01N10 | WMQ020N03LG4
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