Справочник MOSFET. TK9J90E

 

TK9J90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK9J90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для TK9J90E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9J90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  toshiba
 tk9j90e.pdf pdf_icon

TK9J90E

TK9J90EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK9J90ETK9J90ETK9J90ETK9J90E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.0 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

 ..2. Size:220K  inchange semiconductor
 tk9j90e.pdf pdf_icon

TK9J90E

isc N-Channel MOSFET Transistor TK9J90EDESCRIPTIONDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching voltage regulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие MOSFET... TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , IRF730 , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z .

 

 
Back to Top

 


 
.