TK9J90E - описание и поиск аналогов

 

TK9J90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK9J90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для TK9J90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9J90E даташит

 ..1. Size:231K  toshiba
 tk9j90e.pdf pdf_icon

TK9J90E

TK9J90E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK9J90E TK9J90E TK9J90E TK9J90E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.0 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5

 ..2. Size:220K  inchange semiconductor
 tk9j90e.pdf pdf_icon

TK9J90E

isc N-Channel MOSFET Transistor TK9J90E DESCRIPTION Drain Current I = 9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching voltage regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие MOSFET... TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , IRFB31N20D , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z .

History: IRFW520A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.