TK9P65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK9P65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.56 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de TK9P65W MOSFET
TK9P65W Datasheet (PDF)
tk9p65w.pdf

TK9P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK9P65WTK9P65WTK9P65WTK9P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement
Otros transistores... TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , IRFZ48N , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 .
History: SI2324DS | SI2318CDS | NTD70N03R | AOC3870C
History: SI2324DS | SI2318CDS | NTD70N03R | AOC3870C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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