Справочник MOSFET. TK9P65W

 

TK9P65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK9P65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK9P65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9P65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  toshiba
 tk9p65w.pdf pdf_icon

TK9P65W

TK9P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK9P65WTK9P65WTK9P65WTK9P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

Другие MOSFET... TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , IRFZ48N , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 .

History: FDB9406L-F085 | IRF7343PBF | SFM9014TF | NCEP090N10GU | IPP12CNE8NG | IPI50N12S3L-15 | MTD20N03HDLT4G

 

 
Back to Top

 


 
.