TK9P65W - описание и поиск аналогов

 

TK9P65W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK9P65W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK9P65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9P65W даташит

 ..1. Size:379K  toshiba
 tk9p65w.pdf pdf_icon

TK9P65W

TK9P65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK9P65W TK9P65W TK9P65W TK9P65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.46 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

Другие MOSFET... TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , STP65NF06 , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 .

History: IXFH12N90

 

 

 

 

↑ Back to Top
.