TK9Q65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK9Q65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.56 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de TK9Q65W MOSFET
TK9Q65W Datasheet (PDF)
tk9q65w.pdf

TK9Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK9Q65WTK9Q65WTK9Q65WTK9Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement
tk9q65w.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK9Q65WITK9Q65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.56.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.35mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , IRF9640 , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
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