TK9Q65W - аналоги и даташиты транзистора

 

TK9Q65W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK9Q65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для TK9Q65W

 

TK9Q65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  toshiba
 tk9q65w.pdf pdf_icon

TK9Q65W

TK9Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK9Q65W TK9Q65W TK9Q65W TK9Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.46 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
 tk9q65w.pdf pdf_icon

TK9Q65W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK9Q65W ITK9Q65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.56 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.35mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , IRF1405 , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 .

History: BUK637-400B

 

 
Back to Top

 


 
.