Справочник MOSFET. TK9Q65W

 

TK9Q65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK9Q65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для TK9Q65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9Q65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  toshiba
 tk9q65w.pdf pdf_icon

TK9Q65W

TK9Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK9Q65WTK9Q65WTK9Q65WTK9Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
 tk9q65w.pdf pdf_icon

TK9Q65W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK9Q65WITK9Q65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.56.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.35mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... TK8P65W , TK8Q60W , TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , NCEP15T14 , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 .

History: MTD20N03HDLT4G | IRF7343PBF | NCEP060N10 | RU8205BC6 | SSP65R099SFD | STE45NK80ZD | IPI50N12S3L-15

 

 
Back to Top

 


 
.