TMAN12N80AZ Todos los transistores

 

TMAN12N80AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMAN12N80AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

 Búsqueda de reemplazo de TMAN12N80AZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TMAN12N80AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  trinnotech
 tman12n80az.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 5.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.1. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 9.2. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , 60N06 , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A .

History: SI7141DP | TK8A65W | SSM9971 | IRFB23N20D | SRT15N750LD | WMO80N08TS | SRT045N025H

 

 
Back to Top

 


 
.