TMAN12N80AZ Todos los transistores

 

TMAN12N80AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMAN12N80AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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TMAN12N80AZ Datasheet (PDF)

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TMAN12N80AZ

TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

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TMAN12N80AZ

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

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TMAN12N80AZ

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

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TMAN12N80AZ

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

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History: SMK0825F | NTLJS4114N | TMAN16N60 | TMAN11N90Z | TPC8076 | IXFB210N20P | HFP17N10

 

 
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