TMAN12N80AZ Todos los transistores

 

TMAN12N80AZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMAN12N80AZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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TMAN12N80AZ datasheet

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TMAN12N80AZ

TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

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TMAN12N80AZ

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

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TMAN12N80AZ

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

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TMAN12N80AZ

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

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History: TMAN12N80Z | RTQ020N05HZG | SM3335PSQG | 2SK1915 | 2SK596S-B | MXP43P9AF | CS120N08A8

 

 

 

 

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