TMAN12N80AZ - аналоги и даташиты транзистора

 

TMAN12N80AZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TMAN12N80AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN12N80AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  trinnotech
 tman12n80az.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 5.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.1. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 9.2. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN12N80AZ

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , 60N06 , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A .

History: 2SK854 | FCA20N60

 

 
Back to Top

 


 
.