TMAN15N50 Todos los transistores

 

TMAN15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMAN15N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 245 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 14.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 39 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 211 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.44 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMAN15N50

 

TMAN15N50 Datasheet (PDF)

0.1. tman15n50.pdf Size:485K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN15N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 14.2A

9.1. tman16n60a.pdf Size:457K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A

9.2. tman12n80z.pdf Size:502K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.3. tman11n90az.pdf Size:508K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN11N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

9.4. tman16n60.pdf Size:761K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 9.5. tman11n90z.pdf Size:512K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

9.6. tman12n80az.pdf Size:505K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

9.7. tman10n80.pdf Size:493K _trinnotech

TMAN15N50
TMAN15N50

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


TMAN15N50
  TMAN15N50
  TMAN15N50
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: HSW8810 | HSW8205 | HSW6811 | HSW6800 | HSW6604 | HSW4602 | HSW3415 | HSW2N15 | HSU90N03 | HSU90N02 | HSU80N03 | HSU70P06 | HSU6903 | HSU6901 | HSU6115 | HSU6113

 

 

 
Back to Top