TMAN15N50 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

TMAN15N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: TMAN15N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для TMAN15N50

TMAN15N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:485K trinnotech
tman15n50.pdf

TMAN15N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 14.2A

9.1. Size:502K trinnotech
tman12n80z.pdf

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

9.2. Size:512K trinnotech
tman11n90z.pdf

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

9.3. Size:493K trinnotech
tman10n80.pdf

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

9.4. Size:761K trinnotech
tman16n60.pdf