TMAN16N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMAN16N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de TMAN16N60 MOSFET
TMAN16N60 Datasheet (PDF)
tman16n60.pdf
TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
tman16n60a.pdf
TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A
tman12n80z.pdf
TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A
tman11n90z.pdf
TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A
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History: DMN2056U
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