TMAN16N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMAN16N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMAN16N60

TMAN16N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:761K trinnotech
tman16n60.pdf

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

0.1. Size:457K trinnotech
tman16n60a.pdf

TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A

9.1. Size:502K trinnotech
tman12n80z.pdf

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

9.2. Size:512K trinnotech
tman11n90z.pdf

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

9.3. Size:493K trinnotech
tman10n80.pdf

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

9.4. Size:508K trinnotech
tman11n90az.pdf