TMAN16N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMAN16N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 347 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
Время нарастания (tr): 61 ns
Выходная емкость (Cd): 256 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.47 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
TMAN16N60 Datasheet (PDF)
tman16n60.pdf
TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
tman16n60a.pdf
TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A
tman12n80z.pdf
TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A
tman11n90z.pdf
TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A
tman10n80.pdf
TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-
tman11n90az.pdf
TMAN11N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
tman12n80az.pdf
TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
tman15n50.pdf
TMAN15N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 14.2A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
