Справочник MOSFET. TMAN16N60

 

TMAN16N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN16N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN16N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN16N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  trinnotech
 tman16n60.pdf pdf_icon

TMAN16N60

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 0.1. Size:457K  trinnotech
 tman16n60a.pdf pdf_icon

TMAN16N60

TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN16N60

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN16N60

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , EMB04N03H , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 .

History: SSD20N10-250D | IRF8714G | SWN6N80D

 

 
Back to Top

 


 
.