TMAN16N60A Todos los transistores

 

TMAN16N60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMAN16N60A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 262 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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TMAN16N60A datasheet

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TMAN16N60A

TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A

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TMAN16N60A

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

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TMAN16N60A

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

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TMAN16N60A

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

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History: WML26N65C4 | 2SK1764 | 2SK4065-DL-1E

 

 

 

 

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