Справочник MOSFET. TMAN16N60A

 

TMAN16N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN16N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN16N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN16N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  trinnotech
 tman16n60a.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A

 5.1. Size:761K  trinnotech
 tman16n60.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , IRF9640 , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 .

History: GMM3x160-0055X2-SMD | BSC100N10NSFG | GSM4210 | FDZ663P | SSF1320N | IRFB31N20DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.