TMAN16N60A - описание и поиск аналогов

 

TMAN16N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMAN16N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для TMAN16N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN16N60A даташит

 ..1. Size:457K  trinnotech
 tman16n60a.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A

 5.1. Size:761K  trinnotech
 tman16n60.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN16N60A

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , K2611 , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 .

History: AP4506GEM-HF | SM3319NSQG | ME2306A | DH012N03D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.