TMAN20N60A Todos los transistores

 

TMAN20N60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMAN20N60A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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TMAN20N60A datasheet

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TMAN20N60A

TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

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TMAN20N60A

TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

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TMAN20N60A

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

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TMAN20N60A

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

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History: 2SK3280 | KHB9D0N90P1 | FTS2057 | CS7N60A3R | 2SK2235 | IRFB3006 | ME2302

 

 

 

 

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