Справочник MOSFET. TMAN20N60A

 

TMAN20N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN20N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN20N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN20N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  trinnotech
 tman20n60a.pdf pdf_icon

TMAN20N60A

TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 5.1. Size:694K  trinnotech
 tman20n60.pdf pdf_icon

TMAN20N60A

TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

 7.1. Size:484K  trinnotech
 tman20n50.pdf pdf_icon

TMAN20N60A

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 7.2. Size:503K  trinnotech
 tman20n50a.pdf pdf_icon

TMAN20N60A

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , HY1906P , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z .

History: IRFPG52 | MTB3D0N03BH8 | MTB110P10L3 | JFPC7N65C | KP777B

 

 
Back to Top

 


 
.