TMAN23N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMAN23N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 357 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TMAN23N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TMAN23N50 datasheet

 ..1. Size:508K  trinnotech
 tman23n50.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

 0.1. Size:494K  trinnotech
 tman23n50a.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

 9.1. Size:484K  trinnotech
 tman20n50.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 9.2. Size:503K  trinnotech
 tman20n50a.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TMAN12N80Z, TMAN15N50, TMAN16N60, TMAN16N60A, TMAN20N50, TMAN20N50A, TMAN20N60, TMAN20N60A, AO4407A, TMAN23N50A, TMAN7N90, TMAN8N80, TMAN9N90, TMAN9N90AZ, TMD16N25Z, TMD18N20Z, TMD2N40