TMAN23N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMAN23N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 357 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
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TMAN23N50 Datasheet (PDF)
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TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A
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TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
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TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
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TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
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TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
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TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A
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Liste
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