Справочник MOSFET. TMAN23N50

 

TMAN23N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN23N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN23N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN23N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  trinnotech
 tman23n50.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

 0.1. Size:494K  trinnotech
 tman23n50a.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

 9.1. Size:484K  trinnotech
 tman20n50.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 9.2. Size:503K  trinnotech
 tman20n50a.pdf pdf_icon

TMAN23N50

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , AO3407 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 .

History: IRFB17N20DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.