Справочник MOSFET. TMAN23N50

 

TMAN23N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMAN23N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для TMAN23N50

 

 

TMAN23N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  trinnotech
 tman23n50.pdf

TMAN23N50 TMAN23N50

TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

 0.1. Size:494K  trinnotech
 tman23n50a.pdf

TMAN23N50 TMAN23N50

TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

 9.1. Size:484K  trinnotech
 tman20n50.pdf

TMAN23N50 TMAN23N50

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 9.2. Size:503K  trinnotech
 tman20n50a.pdf

TMAN23N50 TMAN23N50

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

 9.3. Size:505K  trinnotech
 tman20n60a.pdf

TMAN23N50 TMAN23N50

TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 9.4. Size:694K  trinnotech
 tman20n60.pdf

TMAN23N50 TMAN23N50

TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top