TMAN23N50. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TMAN23N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN23N50
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TMAN23N50 даташит
tman23n50.pdf
TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A
tman23n50a.pdf
TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
tman20n50.pdf
TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
tman20n50a.pdf
TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Другие MOSFET... TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , AO4407A , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 .
History: AP4506GEH-HF | SLF70R380E7C | KHB9D0N90P1 | 5LP01SP | FTS2057 | 2SK2235
History: AP4506GEH-HF | SLF70R380E7C | KHB9D0N90P1 | 5LP01SP | FTS2057 | 2SK2235
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194