TMAN23N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMAN23N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN23N50
TMAN23N50 Datasheet (PDF)
tman23n50.pdf
TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A
tman23n50a.pdf
TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
tman20n50.pdf
TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
tman20n50a.pdf
TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Другие MOSFET... TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , AO3407 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 .
History: IPAN60R180P7S | IRFB17N20DPBF | IRF8714G | FDP045N10AF102 | CIM6N120-247 | NVF3055L108 | SSP80R380S
History: IPAN60R180P7S | IRFB17N20DPBF | IRF8714G | FDP045N10AF102 | CIM6N120-247 | NVF3055L108 | SSP80R380S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194