TMAN23N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMAN23N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN23N50
TMAN23N50 Datasheet (PDF)
tman23n50.pdf
TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A
tman23n50a.pdf
TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
tman20n50.pdf
TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
tman20n50a.pdf
TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Другие MOSFET... TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , AO4407A , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 .
History: WSD3050DN | WSD3030DN | TMAN7N90 | NTTFS4939NTAG | FDMS8848NZ | CM20N50 | SWD062R08E8T
History: WSD3050DN | WSD3030DN | TMAN7N90 | NTTFS4939NTAG | FDMS8848NZ | CM20N50 | SWD062R08E8T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194