TMAN7N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMAN7N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 266 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 49 nC
Tiempo de subida (tr): 38 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 133 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
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TMAN7N90 Datasheet (PDF)
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tma7n90 tman7n90.pdf
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TMA7N90/TMAN7N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7.2A Low gate charge RDS(on) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3P/TO3PN G S Device Package Marking Remark TMA7N90/TMAN7N90 TO-3P TMA7N90/TMAN7N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMA7N90/TMAN7N90 Uni
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
