TMAN7N90 Todos los transistores

 

TMAN7N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMAN7N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 266 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

 Búsqueda de reemplazo de TMAN7N90 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TMAN7N90 datasheet

 ..1. Size:487K  trinnotech
 tma7n90 tman7n90.pdf pdf_icon

TMAN7N90

TMA7N90/TMAN7N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7.2A Low gate charge RDS(on) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3P/TO3PN G S Device Package Marking Remark TMA7N90/TMAN7N90 TO-3P TMA7N90/TMAN7N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMA7N90/TMAN7N90 Uni

Otros transistores... TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , IRFP064N , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z .

History: FCPF067N65S3 | TK6A65W | NTD4906N | FCPF250N65S3L1 | 2SK1166

 

 

 

 

↑ Back to Top
.