TMAN7N90 - описание и поиск аналогов

 

TMAN7N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMAN7N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 266 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для TMAN7N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN7N90 даташит

 ..1. Size:487K  trinnotech
 tma7n90 tman7n90.pdf pdf_icon

TMAN7N90

TMA7N90/TMAN7N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7.2A Low gate charge RDS(on) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3P/TO3PN G S Device Package Marking Remark TMA7N90/TMAN7N90 TO-3P TMA7N90/TMAN7N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMA7N90/TMAN7N90 Uni

Другие MOSFET... TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , IRFP064N , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z .

History: DMTH6009LK3 | F12N65 | 2SK3064

 

 

 

 

↑ Back to Top
.