TMAN7N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMAN7N90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 266 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 133 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
TMAN7N90 Datasheet (PDF)
..1. Size:487K trinnotech
tma7n90 tman7n90.pdf
tma7n90 tman7n90.pdf
TMA7N90/TMAN7N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7.2A Low gate charge RDS(on) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3P/TO3PN G S Device Package Marking Remark TMA7N90/TMAN7N90 TO-3P TMA7N90/TMAN7N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMA7N90/TMAN7N90 Uni
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
