Справочник MOSFET. TMAN7N90

 

TMAN7N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN7N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 266 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN7N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN7N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  trinnotech
 tma7n90 tman7n90.pdf pdf_icon

TMAN7N90

TMA7N90/TMAN7N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7.2A Low gate charge RDS(on) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3P/TO3PN G S Device Package Marking Remark TMA7N90/TMAN7N90 TO-3P TMA7N90/TMAN7N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMA7N90/TMAN7N90 Uni

Другие MOSFET... TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , 5N50 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z .

History: 2SK3387 | GSM2304 | SKI03063 | LND10R180 | JBE102G | NVGS4141N | LND16N60

 

 
Back to Top

 


 
.