TMAN8N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMAN8N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 265 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de TMAN8N80 MOSFET
TMAN8N80 Datasheet (PDF)
..1. Size:757K trinnotech
tman8n80.pdf
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TMAN8N80 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 8A
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History: AP85T08GP
History: AP85T08GP
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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