TMAN8N80. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TMAN8N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 265 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN8N80
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TMAN8N80 даташит
tman8n80.pdf
TMAN8N80 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 8A
Другие MOSFET... TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , AO4468 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c