TMAN8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMAN8N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 265 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN8N80
TMAN8N80 Datasheet (PDF)
tman8n80.pdf

TMAN8N80 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 8A
Другие MOSFET... TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , IRFP064N , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ .
History: H1N60D | FDD24AN06LF085
History: H1N60D | FDD24AN06LF085



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c