Справочник MOSFET. TMAN8N80

 

TMAN8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN8N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  trinnotech
tman8n80.pdfpdf_icon

TMAN8N80

TMAN8N80 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 8A

Другие MOSFET... TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , IRFP064N , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ .

History: H1N60D | FDD24AN06LF085

 

 
Back to Top

 


 
.