TMD18N20Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMD18N20Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Encapsulados: DPAK
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TMD18N20Z datasheet
tmd18n20z tmu18n20z.pdf
TMD18N20Z(G)/TMU18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) MAX 100% avalanche tested 200V 18A
Otros transistores... TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , IRF740 , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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