TMD18N20Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMD18N20Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TMD18N20Z
TMD18N20Z Datasheet (PDF)
..1. Size:437K trinnotech
tmd18n20z tmu18n20z.pdf
tmd18n20z tmu18n20z.pdf
TMD18N20Z(G)/TMU18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) MAX 100% avalanche tested 200V 18A
Другие MOSFET... TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , IRF740 , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G .
History: FDS2672 | AOI1N60L | WSD3056DN | STP110N8F7 | AP85T08GP | ELM32400LA | WMJ26N60C4
History: FDS2672 | AOI1N60L | WSD3056DN | STP110N8F7 | AP85T08GP | ELM32400LA | WMJ26N60C4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845