TMD18N20Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMD18N20Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TMD18N20Z
TMD18N20Z Datasheet (PDF)
tmd18n20z tmu18n20z.pdf

TMD18N20Z(G)/TMU18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) MAX 100% avalanche tested 200V 18A
Другие MOSFET... TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , IRF740 , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G .
History: SSF6908 | MDF4N60TP | STM4605 | MDF5N50ZTH | STL62P3LLH6 | MTP12P05
History: SSF6908 | MDF4N60TP | STM4605 | MDF5N50ZTH | STL62P3LLH6 | MTP12P05



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845