Справочник MOSFET. TMD18N20Z

 

TMD18N20Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMD18N20Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TMD18N20Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD18N20Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  trinnotech
 tmd18n20z tmu18n20z.pdf pdf_icon

TMD18N20Z

TMD18N20Z(G)/TMU18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) MAX 100% avalanche tested 200V 18A

Другие MOSFET... TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , IRF740 , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G .

History: MTNK1S3

 

 
Back to Top

 


 
.