TMD2N40 Todos los transistores

 

TMD2N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD2N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TMD2N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  trinnotech
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TMD2N40

TMD2N40/TMU2N40TMD2N40G/TMU2N40GVDSS = 440 V @TjmaxFeaturesID = 2A Low gate chargeRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD2N40 /

 9.1. Size:474K  trinnotech
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TMD2N40

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 9.2. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMD2N40

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 9.3. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMD2N40

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

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History: NCEP038N10GU | IRFB7434PBF | MTB080N15J3

 

 
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